2N5550BU
製造者製品番号:

2N5550BU

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

2N5550BU-DG

説明:

TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

在庫:

12836232
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2N5550BU 技術仕様

カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
600 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
140 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
250mV @ 5mA, 50mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
60 @ 10mA, 5V
パワー - 最大
625 mW
周波数 - トランジション
300MHz
動作温度
150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92-3
基本品番
2N5550

データシートとドキュメント

データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
1,000
他の名前
2N5550BU-NDR

環境および輸出分類

湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075

代替モデル

部品番号
2N5550TA
製造業者
Fairchild Semiconductor
在庫数
33620
部品番号
2N5550TA-DG
単価
0.04
代替タイプ
Direct
DIGI認証
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