2N5306
製造者製品番号:

2N5306

Product Overview

製造者:

onsemi

部品番号:

2N5306-DG

説明:

TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 25 V 1.2 A 625 mW Through Hole TO-92-3

在庫:

12836441
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2N5306 技術仕様

カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
onsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN - Darlington
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
1.2 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
25 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1.4V @ 200µA, 200mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
100nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
7000 @ 2mA, 5V
パワー - 最大
625 mW
周波数 - トランジション
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-92-3
基本品番
2N5306

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
2,000

環境および輸出分類

湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
DIGI認証
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