製造者製品番号:
PDTD113EQAZ
Product Overview
製造者:
Nexperia USA Inc.
部品番号:
PDTD113EQAZ-DG
説明:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 500 mA 210 MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3
在庫:
12830902
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PDTD113EQAZ 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ
製造者
Nexperia
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN - Pre-Biased
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
500 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50 V
抵抗 - ベース (R1)
1 kOhms
抵抗 - エミッタベース(R2)
1 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
33 @ 50mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
100mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
周波数 - トランジション
210 MHz
パワー - 最大
325 mW
等級
Automotive
資格
AEC-Q101
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
3-XDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ
DFN1010D-3
基本品番
PDTD113
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
5,000
他の名前
5202-PDTD113EQAZTR
NEXNXPPDTD113EQAZ
2156-PDTD113EQAZ-NEX
934069263147
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
DIGI認証
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