製造者製品番号:
2N1016B
Product Overview
製造者:
Microsemi Corporation
部品番号:
2N1016B-DG
説明:
TRANS NPN 100V 7.5A TO82
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 7.5 A 150 W TO-82
在庫:
13260823
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2N1016B 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
Microsemi
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
7.5 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
2.5V @ 1A, 5A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
1mA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
20 @ 2A, 4V
パワー - 最大
150 W
周波数 - トランジション
-
動作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-82
基本品番
2N1016
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
1
他の名前
2N1016B-ND
150-2N1016B
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS non-compliant
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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