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よくある質問
製造者製品番号:
IXTP8N50P
Product Overview
製造者:
IXYS
部品番号:
IXTP8N50P-DG
説明:
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
詳細な説明:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
在庫:
オンラインRFQ
12819915
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IXTP8N50P 技術仕様
カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Littelfuse
パッケージング
-
級数
PolarHV™
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
500 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
800mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5.5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1050 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
150W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
IXTP8
データシートとドキュメント
データシート
IXTP8N50P
HTML データシート
IXTP8N50P-DG
追加情報
スタンダードパッケージ
50
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IRF840LCPBF
製造業者
Vishay Siliconix
在庫数
5522
部品番号
IRF840LCPBF-DG
単価
0.82
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