製造者製品番号:
IXFX170N20T
Product Overview
製造者:
IXYS
部品番号:
IXFX170N20T-DG
説明:
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
詳細な説明:
N-Channel 200 V 170A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
在庫:
12914117
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IXFX170N20T 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Littelfuse
パッケージング
Tube
級数
HiPerFET™, Trench
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
200 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
170A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
11mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 4mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
19600 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
1150W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PLUS247™-3
パッケージ/ケース
TO-247-3 Variant
基本品番
IXFX170
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
30
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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