IXFQ28N60P3
製造者製品番号:

IXFQ28N60P3

Product Overview

製造者:

IXYS

部品番号:

IXFQ28N60P3-DG

説明:

MOSFET N-CH 600V 28A TO3P
詳細な説明:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-3P

在庫:

273 新規オリジナル在庫あり
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IXFQ28N60P3 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Littelfuse
パッケージング
Tube
級数
HiPerFET™, Polar3™
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
28A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
260mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 2.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3560 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
695W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-3P
パッケージ/ケース
TO-3P-3, SC-65-3
基本品番
IXFQ28

追加情報

スタンダードパッケージ
30
他の名前
-IXFQ28N60P3

環境および輸出分類

RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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