IXFH26N60Q
製造者製品番号:

IXFH26N60Q

Product Overview

製造者:

IXYS

部品番号:

IXFH26N60Q-DG

説明:

MOSFET N-CH 600V 26A TO247AD
詳細な説明:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

在庫:

12819458
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IXFH26N60Q 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Littelfuse
パッケージング
-
級数
HiPerFET™
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
26A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
250mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4.5V @ 4mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5100 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
360W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース
TO-247-3
基本品番
IXFH26

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
30
他の名前
IXFH26N60Q-NDR

環境および輸出分類

湿度感度レベル(MSL)
Not Applicable
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095

代替モデル

部品番号
IRFP26N60LPBF
製造業者
Vishay Siliconix
在庫数
1789
部品番号
IRFP26N60LPBF-DG
単価
5.02
代替タイプ
Similar
部品番号
STW20NM60FD
製造業者
STMicroelectronics
在庫数
0
部品番号
STW20NM60FD-DG
単価
3.29
代替タイプ
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4.37
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部品番号
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単価
4.92
代替タイプ
Direct
DIGI認証
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