製造者製品番号:
SPI11N60C3XKSA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
SPI11N60C3XKSA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 650V 11A TO262-3
詳細な説明:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
在庫:
12808169
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SPI11N60C3XKSA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
-
級数
CoolMOS™
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.9V @ 500µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
125W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3-1
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本品番
SPI11N
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
500
他の名前
SPI11N60C3X-DG
SPI11N60C3BKSA1
SPI11N60C3IN
SPI11N60C3
SPI11N60C3XK
SPI11N60C3IN-DG
SPI11N60C3X
SP000680986
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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