製造者製品番号:
SPA16N50C3XKSA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
SPA16N50C3XKSA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 560V 16A TO220-3
詳細な説明:
N-Channel 560 V 16A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
在庫:
300 新規オリジナル在庫あり
12807419
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SPA16N50C3XKSA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tube
級数
CoolMOS™
製品ステータス
Last Time Buy
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
560 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
16A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
280mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.9V @ 675µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1600 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
34W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO220-3-31
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
基本品番
SPA16N50
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
SPA1-DG6N50C3XKSA1-DG
SP000216351
SPA16N50C3IN-DG
SPA16N50C3IN-NDR
SPA16N50C3X
SPA16N50C3XTIN
SPA16N50C3
SPA16N50C3XK
SPA16N50C3IN
SPA1-ND6N50C3XKSA1
SPA16N50C3XTIN-DG
2156-SPA16N50C3XKSA1-448
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
AOTF15S60L
製造業者
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
在庫数
483
部品番号
AOTF15S60L-DG
単価
1.08
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
SIHF15N60E-GE3
製造業者
Vishay Siliconix
在庫数
788
部品番号
SIHF15N60E-GE3-DG
単価
1.32
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
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