製造者製品番号:
IRF9Z34NSTRLPBF
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
説明:
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
詳細な説明:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK
在庫:
2148 新規オリジナル在庫あり
12804859
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
sb8E
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
IRF9Z34NSTRLPBF 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
HEXFET®
製品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
55 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
19A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
620 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.8W (Ta), 68W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
D2PAK
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本品番
IRF9Z34
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
800
他の名前
IRF9Z34NSTRLPBFCT
IRF9Z34NSTRLPBF-DG
IRF9Z34NSTRLPBFTR
SP001554544
IRF9Z34NSTRLPBFDKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
関連商品
IRFI7536GPBF
MOSFET N-CH 60V 86A TO220
IPP60R520C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-3
IRF7450
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8SO
