製造者製品番号:
IRF3711L
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IRF3711L-DG
説明:
MOSFET N-CH 20V 110A TO262
詳細な説明:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-262
在庫:
12804063
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IRF3711L 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
-
級数
HEXFET®
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
20 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
110A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2980 pF @ 10 V
FET機能
-
消費電力(最大)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-262
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
*IRF3711L
環境および輸出分類
RoHSステータス
RoHS non-compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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