製造者製品番号:
IPWS65R050CFD7AXKSA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IPWS65R050CFD7AXKSA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 650V 45A TO247-3-41
詳細な説明:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
在庫:
81 新規オリジナル在庫あり
12945084
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IPWS65R050CFD7AXKSA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tube
級数
*
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
45A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
50mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4.5V @ 1.24mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4975 pF @ 400 V
FET機能
-
消費電力(最大)
227W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
等級
Automotive
資格
AEC-Q101
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-3-41
パッケージ/ケース
TO-247-3
基本品番
IPWS65
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
30
他の名前
448-IPWS65R050CFD7AXKSA1
SP005405805
2156-IPWS65R050CFD7AXKSA1
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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