製造者製品番号:
IPW60R190C6FKSA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IPW60R190C6FKSA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
詳細な説明:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
在庫:
292 新規オリジナル在庫あり
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IPW60R190C6FKSA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tube
級数
CoolMOS™
製品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 630µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1400 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
151W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-3-1
パッケージ/ケース
TO-247-3
基本品番
IPW60R190
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
30
他の名前
IPW60R190C6
INFINFIPW60R190C6FKSA1
SP000621160
IPW60R190C6-DG
2156-IPW60R190C6FKSA1
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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