製造者製品番号:
IPW60R070P6XKSA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IPW60R070P6XKSA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
詳細な説明:
N-Channel 600 V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
在庫:
240 新規オリジナル在庫あり
12823210
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
RDwT
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
IPW60R070P6XKSA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tube
級数
CoolMOS™ P6
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
53.5A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4.5V @ 1.72mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4750 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
391W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ/ケース
TO-247-3
基本品番
IPW60R070
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
30
他の名前
SP001114660
IPW60R070P6XKSA1-DG
448-IPW60R070P6XKSA1
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
関連商品
IXTQ160N10T
MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
FCI11N60
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
IRF6617TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
