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製造者製品番号:
IPP120N10S405AKSA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IPP120N10S405AKSA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
詳細な説明:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
在庫:
オンラインRFQ
12803611
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IPP120N10S405AKSA1 技術仕様
カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tube
級数
OptiMOS™
製品ステータス
Last Time Buy
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
120A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
5.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 120µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6540 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
190W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等級
Automotive
資格
AEC-Q101
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
IPP120
データシートとドキュメント
データシート
IPP120N10S405AKSA1
HTML データシート
IPP120N10S405AKSA1-DG
追加情報
スタンダードパッケージ
500
他の名前
2156-IPP120N10S405AKSA1
448-IPP120N10S405AKSA1
IPP120N10S405AKSA1-DG
SP001102616
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IAUC100N10S5N040ATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
12956
部品番号
IAUC100N10S5N040ATMA1-DG
単価
1.07
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
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