IPI25N06S3-25
製造者製品番号:

IPI25N06S3-25

Product Overview

製造者:

Infineon Technologies

部品番号:

IPI25N06S3-25-DG

説明:

MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
詳細な説明:
N-Channel 55 V 25A (Tc) 48W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

在庫:

12804376
見積もりをリクエスト
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
90pP
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
送信

IPI25N06S3-25 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
-
級数
OptiMOS™
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
55 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
25A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
25.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 20µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1862 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
48W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO262-3
パッケージ/ケース
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
基本品番
IPI25N

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
50
他の名前
SP000087997
IPI25N06S325X
IPI25N06S325XK
IPI25N06S3-25IN
IPI25N06S3-25-DG

環境および輸出分類

湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095

代替モデル

部品番号
IRFZ44ZLPBF
製造業者
International Rectifier
在庫数
1635
部品番号
IRFZ44ZLPBF-DG
単価
0.96
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
関連商品
infineon-technologies

IPP80N06S209AKSA1

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IPB110N20N3LFATMA1

MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3

infineon-technologies

IRFH8318TRPBF

MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN

infineon-technologies

IRFH7194TRPBF

MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN