製造者製品番号:
IPD65R650CEAUMA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IPD65R650CEAUMA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
詳細な説明:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
在庫:
2270 新規オリジナル在庫あり
12803272
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
Eoyz
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
IPD65R650CEAUMA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
CoolMOS™ CE
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 210µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
86W (Tc)
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
IPD65R650
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
IPD65R650CEAUMA1DKR
IPD65R650CEAUMA1-DG
IPD65R650CEAUMA1CT
IPD65R650CEAUMA1TR
SP001396908
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
3 (168 Hours)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
関連商品
IPA65R1K0CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220
IRF2804STRRPBF
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IRF9333TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO
