製造者製品番号:
IPD60R600E6ATMA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IPD60R600E6ATMA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
詳細な説明:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
在庫:
12803799
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IPD60R600E6ATMA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
CoolMOS™ E6
製品ステータス
Not For New Designs
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 200µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
440 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
63W (Tc)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
IPD60R
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
IPD60R600E6ATMA1-DG
448-IPD60R600E6ATMA1TR
INFINFIPD60R600E6ATMA1
SP001117094
2156-IPD60R600E6ATMA1
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
TK11P65W,RQ
製造業者
Toshiba Semiconductor and Storage
在庫数
485
部品番号
TK11P65W,RQ-DG
単価
0.74
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
TK8P60W,RVQ
製造業者
Toshiba Semiconductor and Storage
在庫数
0
部品番号
TK8P60W,RVQ-DG
単価
0.97
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
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