製造者製品番号:
IPD50P04P413ATMA2
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IPD50P04P413ATMA2-DG
説明:
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
詳細な説明:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
在庫:
7545 新規オリジナル在庫あり
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IPD50P04P413ATMA2 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
OptiMOS®-P2
製品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
40 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
50A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
12.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 85µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
3670 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
58W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO252-3-313
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
IPD50
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
448-IPD50P04P413ATMA2DKR
448-IPD50P04P413ATMA2CT
SP002319830
448-IPD50P04P413ATMA2TR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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