製造者製品番号:
IPB120N10S405ATMA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IPB120N10S405ATMA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
詳細な説明:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
在庫:
6796 新規オリジナル在庫あり
12800669
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IPB120N10S405ATMA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
OptiMOS™
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
120A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.5V @ 120µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
91 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
6540 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
190W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等級
Automotive
資格
AEC-Q101
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ/ケース
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
基本品番
IPB120
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
1,000
他の名前
448-IPB120N10S405ATMA1CT
INFINFIPB120N10S405ATMA1
448-IPB120N10S405ATMA1DKR
IPB120N10S405ATMA1-DG
SP001102592
448-IPB120N10S405ATMA1TR
2156-IPB120N10S405ATMA1
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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