製造者製品番号:
IPA65R125C7XKSA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
IPA65R125C7XKSA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220-FP
詳細な説明:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
在庫:
342 新規オリジナル在庫あり
13064066
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IPA65R125C7XKSA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tube
級数
CoolMOS™ C7
包装
Tube
パーツステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
125mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 440µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1670 pF @ 400 V
FET機能
-
消費電力(最大)
32W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TO220-FP
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
基本品番
IPA65R
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
INFINFIPA65R125C7XKSA1
2156-IPA65R125C7XKSA1
SP001080136
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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