製造者製品番号:
BSZ105N04NSGATMA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
BSZ105N04NSGATMA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 40V 11A/40A 8TSDSON
詳細な説明:
N-Channel 40 V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
在庫:
12800824
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BSZ105N04NSGATMA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
-
級数
OptiMOS™
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
40 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 14µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1300 pF @ 20 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.1W (Ta), 35W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
5,000
他の名前
2156-BSZ105N04NSGATMA1
BSZ105N04NSGINTR-DG
BSZ105N04NSGINCT-DG
BSZ105N04NS G
BSZ105N04NSG
BSZ105N04NSGINCT
BSZ105N04NSGATMA1TR
BSZ105N04NSGXT
BSZ105N04NSGINDKR-DG
IFEINFBSZ105N04NSGATMA1
BSZ105N04NSGATMA1CT
BSZ105N04NSGINDKR
BSZ105N04NSGINTR
BSZ105N04NSGATMA1DKR
SP000388301
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
DMNH4011SPS-13
製造業者
Diodes Incorporated
在庫数
0
部品番号
DMNH4011SPS-13-DG
単価
0.28
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
BSC054N04NSGATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
31911
部品番号
BSC054N04NSGATMA1-DG
単価
0.33
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
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