製造者製品番号:
BSC265N10LSFGATMA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
BSC265N10LSFGATMA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
詳細な説明:
N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
在庫:
13914 新規オリジナル在庫あり
13063880
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BSC265N10LSFGATMA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
OptiMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
パーツステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.5A (Ta), 40A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
26.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.4V @ 43µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1600 pF @ 50 V
FET機能
-
消費電力(最大)
78W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8-1
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
基本品番
BSC265
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
5,000
他の名前
SP000379618
BSC265N10LSFGATMA1TR
BSC265N10LSFGATMA1CT
BSC265N10LSFGATMA1DKR
BSC265N10LSF G-ND
BSC265N10LSF G
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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