製造者製品番号:
BSC196N10NSGATMA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
BSC196N10NSGATMA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON
詳細な説明:
N-Channel 100 V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
在庫:
53243 新規オリジナル在庫あり
12836783
見積もりをリクエスト
数量
最低1
最低1
lM6r
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
24時間以内にご連絡いたします
送信
BSC196N10NSGATMA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
OptiMOS™
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 45A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
19.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 42µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2300 pF @ 50 V
FET機能
-
消費電力(最大)
78W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8-1
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
基本品番
BSC196
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
5,000
他の名前
BSC196N10NSGATMA1TR
BSC196N10NSGATMA1DKR
SP000379604
BSC196N10NS GTR-DG
BSC196N10NS GCT
BSC196N10NS GDKR
BSC196N10NS GDKR-DG
BSC196N10NSG
BSC196N10NS GCT-DG
BSC196N10NSGATMA1CT
BSC196N10NS G-DG
BSC196N10NS G
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
関連商品
FQP8N60C
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220-3
FDPF7N50U-G
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
BSC059N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 17A TDSON
