製造者製品番号:
BSC120N03LSGATMA1
Product Overview
製造者:
Infineon Technologies
部品番号:
BSC120N03LSGATMA1-DG
説明:
MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
詳細な説明:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
在庫:
33689 新規オリジナル在庫あり
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BSC120N03LSGATMA1 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Infineon Technologies
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
OptiMOS™
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
12A (Ta), 39A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
12mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1200 pF @ 15 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PG-TDSON-8-5
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
基本品番
BSC120
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
5,000
他の名前
BSC120N03LSGATMA1CT
BSC120N03LS G
BSC120N03LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC120N03LSGINTR
BSC120N03LSGATMA1DKR
BSC120N03LSGINDKR-DG
BSC120N03LSGINCT
BSC120N03LSG
SP000302848
BSC120N03LSGATMA1TR
BSC120N03LSGXT
BSC120N03LSGINTR-DG
BSC120N03LSGINDKR
BSC120N03LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC120N03LSGINCT-DG
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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