製造者製品番号:
FCP4N60
Product Overview
製造者:
Fairchild Semiconductor
部品番号:
FCP4N60-DG
説明:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
詳細な説明:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3
在庫:
1335 新規オリジナル在庫あり
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FCP4N60 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
パッケージング
Bulk
級数
SuperFET™
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
540 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
50W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
データシートとドキュメント
データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
267
他の名前
2156-FCP4N60
FAIFSCFCP4N60
環境および輸出分類
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8542.39.0001
DIGI認証
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