EPC2030ENGRT
製造者製品番号:

EPC2030ENGRT

Product Overview

製造者:

EPC

部品番号:

EPC2030ENGRT-DG

説明:

GANFET NCH 40V 31A DIE
詳細な説明:
N-Channel 40 V 31A (Ta) Surface Mount Die

在庫:

12817996
見積もりをリクエスト
数量
最低1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) 必須です
24時間以内にご連絡いたします
送信

EPC2030ENGRT 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
EPC
パッケージング
-
級数
eGaN®
製品ステータス
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
40 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
31A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
5V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id
2.5V @ 16mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs(最大)
+6V, -4V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1900 pF @ 20 V
FET機能
-
消費電力(最大)
-
動作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
Die
パッケージ/ケース
Die
基本品番
EPC20

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
500
他の名前
917-EPC2030ENGRDKR
917-EPC2030ENGRCT
917-EPC2030ENGRTR

環境および輸出分類

RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0040
DIGI認証
関連商品
rohm-semi

R5011FNX

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

infineon-technologies

BSO613SPVGXUMA1

MOSFET P-CH 8-SOIC

infineon-technologies

IRFR5410TRR

MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

epc

EPC2016C

GANFET N-CH 100V 18A DIE