製造者製品番号:
ZXMN10A25KTC
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
ZXMN10A25KTC-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
詳細な説明:
N-Channel 100 V 4.2A (Ta) 2.11W (Ta) Surface Mount TO-252-3
在庫:
4733 新規オリジナル在庫あり
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ZXMN10A25KTC 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
6V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
125mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
17.16 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
859 pF @ 50 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.11W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252-3
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
基本品番
ZXMN10
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
ZXMN10A25KTCTR
ZXMN10A25KTCDKR
ZXMN10A25KTCCT
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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