製造者製品番号:
ZXM66P02N8TC
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
ZXM66P02N8TC-DG
説明:
MOSFET P-CH 20V 6.4A 8SO
詳細な説明:
P-Channel 20 V 6.4A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
在庫:
12901955
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ZXM66P02N8TC 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
20 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
6.4A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
2.5V, 4.5V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
25mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
700mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
43.3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)
±12V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2068 pF @ 15 V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.56W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
DIGI認証
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