ZTX855STZ
製造者製品番号:

ZTX855STZ

Product Overview

製造者:

Diodes Incorporated

部品番号:

ZTX855STZ-DG

説明:

TRANS NPN 150V 4A E-LINE
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 4 A 90MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

在庫:

12887078
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ZTX855STZ 技術仕様

カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
Tape & Box (TB)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
4 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
150 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
260mV @ 400mA, 4A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
50nA (ICBO)
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
100 @ 1A, 5V
パワー - 最大
1.2 W
周波数 - トランジション
90MHz
動作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
パッケージ/ケース
E-Line-3
サプライヤーデバイスパッケージ
E-Line (TO-92 compatible)
基本品番
ZTX855

データシートとドキュメント

データシート
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
2,000

環境および輸出分類

RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0075

代替モデル

部品番号
ZTX855
製造業者
Diodes Incorporated
在庫数
3896
部品番号
ZTX855-DG
単価
0.36
代替タイプ
Direct
DIGI認証
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