製造者製品番号:
MJD31C-13
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
MJD31C-13-DG
説明:
TRANS NPN 100V 3A TO252
詳細な説明:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount TO-252 (DPAK)
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MJD31C-13 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングルバイポーラトランジスタ
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
トランジスタタイプ
NPN
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
3 A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
100 V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
1.2V @ 375mA, 3A
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
1µA
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
10 @ 3A, 4V
パワー - 最大
1.56 W
周波数 - トランジション
3MHz
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-252 (DPAK)
基本品番
MJD31
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
MJD31C-13DITR
MJD31C-13DICT
MJD31C13
MJD31C-13DIDKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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