製造者製品番号:
DRDNB26W-7
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
DRDNB26W-7-DG
説明:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
詳細な説明:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
在庫:
12888772
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DRDNB26W-7 技術仕様
カテゴリー
バイポーラトランジスタ (BJT), シングル、プリバイアスバイポーラトランジスタ
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
トランジスタタイプ
NPN - Pre-Biased + Diode
電流 - コレクタ (Ic) (最大)
600 mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
50 V
抵抗 - ベース (R1)
220 Ohms
抵抗 - エミッタベース(R2)
4.7 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce
47 @ 50mA, 5V
VCE飽和度(最大)@ Ib、Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大)
500nA
周波数 - トランジション
200 MHz
パワー - 最大
200 mW
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-363
基本品番
DRDNB26
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0075
DIGI認証
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