製造者製品番号:
DMTH10H010SPSQ-13
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
DMTH10H010SPSQ-13-DG
説明:
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
詳細な説明:
N-Channel 100 V 11.8A (Ta), 100A (Tc) 1.5W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
在庫:
1872 新規オリジナル在庫あり
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DMTH10H010SPSQ-13 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
100 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
11.8A (Ta), 100A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
6V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
8.8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
56.4 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4468 pF @ 50 V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.5W (Ta), 166W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
等級
Automotive
資格
AEC-Q101
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
PowerDI5060-8
パッケージ/ケース
8-PowerTDFN
基本品番
DMTH10
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
DMTH10H010SPSQ-13DICT
DMTH10H010SPSQ-13DIDKR-DG
DMTH10H010SPSQ-13DIDKR
DMTH10H010SPSQ-13DITR
31-DMTH10H010SPSQ-13CT
DMTH10H010SPSQ-13DITR-DG
31-DMTH10H010SPSQ-13TR
DMTH10H010SPSQ-13DICT-DG
31-DMTH10H010SPSQ-13DKR
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
BSC098N10NS5ATMA1
製造業者
Infineon Technologies
在庫数
16419
部品番号
BSC098N10NS5ATMA1-DG
単価
0.62
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
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