製造者製品番号:
DMT6009LJ3
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
DMT6009LJ3-DG
説明:
MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251
詳細な説明:
N-Channel 60 V 74.5A (Tc) 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH)
在庫:
12888550
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DMT6009LJ3 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
74.5A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
4.5V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±16V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1925 pF @ 30 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.9W (Ta), 83.3W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-251 (Type TH)
パッケージ/ケース
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本品番
DMT6009
追加情報
スタンダードパッケージ
75
他の名前
DMT6009LJ3DI
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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