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よくある質問
製造者製品番号:
DMT6004SCT
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
DMT6004SCT-DG
説明:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
詳細な説明:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Through Hole TO-220-3
在庫:
47 新規オリジナル在庫あり
12888926
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DMT6004SCT 技術仕様
カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
Tube
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
100A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
3.65mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
95.4 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
4556 pF @ 30 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.3W (Ta), 113W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220-3
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
DMT6004
データシートとドキュメント
データシート
DMT6004SCT
HTML データシート
DMT6004SCT-DG
追加情報
スタンダードパッケージ
50
他の名前
DMT6004SCTDI-5
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IXTP260N055T2
製造業者
IXYS
在庫数
73
部品番号
IXTP260N055T2-DG
単価
3.04
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
FDP030N06
製造業者
onsemi
在庫数
900
部品番号
FDP030N06-DG
単価
2.04
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
PSMN3R3-60PLQ
製造業者
Nexperia USA Inc.
在庫数
5000
部品番号
PSMN3R3-60PLQ-DG
単価
1.31
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
PHP191NQ06LT,127
製造業者
Nexperia USA Inc.
在庫数
2279
部品番号
PHP191NQ06LT,127-DG
単価
1.38
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
FDP032N08
製造業者
onsemi
在庫数
924
部品番号
FDP032N08-DG
単価
2.65
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
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