製造者製品番号:
DMN3730UFB4-7B
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
DMN3730UFB4-7B-DG
説明:
MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN
詳細な説明:
N-Channel 30 V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
在庫:
9695 新規オリジナル在庫あり
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DMN3730UFB4-7B 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
Automotive, AEC-Q101
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
30 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
1.8V, 4.5V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
950mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)
±8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
64.3 pF @ 25 V
FET機能
-
消費電力(最大)
470mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース
3-XFDFN
基本品番
DMN3730
追加情報
スタンダードパッケージ
10,000
他の名前
31-DMN3730UFB4-7BDKR
31-DMN3730UFB4-7BCT
31-DMN3730UFB4-7BTR
DMN3730UFB4-7B-DG
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
部品番号
DMN3730UFB4-7
製造業者
Diodes Incorporated
在庫数
20540
部品番号
DMN3730UFB4-7-DG
単価
0.12
代替タイプ
Parametric Equivalent
DIGI認証
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