製造者製品番号:
DMN2501UFB4-7
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
DMN2501UFB4-7-DG
説明:
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
詳細な説明:
N-Channel 20 V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
在庫:
2900 新規オリジナル在庫あり
12888505
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DMN2501UFB4-7 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
20 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
1A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
1.8V, 4.5V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
2 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
82 pF @ 16 V
FET機能
-
消費電力(最大)
500mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
X2-DFN1006-3
パッケージ/ケース
3-XFDFN
基本品番
DMN2501
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
DMN2501UFB4-7DITR
DMN2501UFB4-7DICT-DG
DMN2501UFB4-7DIDKR-DG
DMN2501UFB4-7DI
DMN2501UFB4-7DITR-DG
DMN2501UFB4-7DIDKR
-DMN2501UFB4-7DITR
31-DMN2501UFB4-7CT
31-DMN2501UFB4-7TR
DMN2501UFB4-7DI-DG
31-DMN2501UFB4-7DKR
DMN2501UFB4-7DICT
-DMN2501UFB4-7DICT
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
部品番号
PMZB290UNE2YL
製造業者
Nexperia USA Inc.
在庫数
35118
部品番号
PMZB290UNE2YL-DG
単価
0.04
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
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