製造者製品番号:
DMN1019UVT-13
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
DMN1019UVT-13-DG
説明:
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
詳細な説明:
N-Channel 12 V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
在庫:
12891935
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DMN1019UVT-13 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
12 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10.7A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
1.2V, 4.5V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
800mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
50.4 nC @ 8 V
Vgs(最大)
±8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
2588 pF @ 10 V
FET機能
-
消費電力(最大)
1.73W (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
TSOT-26
パッケージ/ケース
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
基本品番
DMN1019
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
10,000
他の名前
DMN1019UVT-13DI
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
DMN1019UVT-7
製造業者
Diodes Incorporated
在庫数
6295
部品番号
DMN1019UVT-7-DG
単価
0.09
代替タイプ
Parametric Equivalent
DIGI認証
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