製造者製品番号:
DMG9926USD-13
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
DMG9926USD-13-DG
説明:
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SO
詳細な説明:
Mosfet Array 20V 8A 1.3W Surface Mount 8-SO
在庫:
119779 新規オリジナル在庫あり
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DMG9926USD-13 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, FET、MOSFETアレイ
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
Tape & Reel (TR)
級数
-
製品ステータス
Active
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
構成
2 N-Channel (Dual)
FET機能
Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
8A
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
24mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
8.8nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
867pF @ 15V
パワー - 最大
1.3W
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ
8-SO
基本品番
DMG9926
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
2,500
他の名前
DMG9926USD-13DITR
DMG9926USD-13DIDKR
DMG9926USD13
DMG9926USD-13DICT
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
DIGI認証
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