製造者製品番号:
DMG3415U-13
Product Overview
製造者:
Diodes Incorporated
部品番号:
DMG3415U-13-DG
説明:
MOSFET P-CH DFN-3
詳細な説明:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
在庫:
12884513
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DMG3415U-13 技術仕様
カテゴリー
FET（フィールド効果トランジスタ）、MOSFET（金属酸化膜フィールド効果トランジスタ）, シングルFET、MOSFET
製造者
Diodes Incorporated
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
P-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
20 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
4A (Ta)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
1.8V, 4.5V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id
1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
9.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大)
±8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
294 pF @ 10 V
FET機能
-
消費電力(最大)
900mW (Ta)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
等級
Automotive
資格
AEC-Q101
取り付けタイプ
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ
SOT-23-3
パッケージ/ケース
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本品番
DMG3415
データシートとドキュメント
データシート
HTML データシート
追加情報
スタンダードパッケージ
3,000
他の名前
DMG3415U-13DI
環境および輸出分類
RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.21.0095
代替モデル
部品番号
SI2399DS-T1-GE3
製造業者
Vishay Siliconix
在庫数
7732
部品番号
SI2399DS-T1-GE3-DG
単価
0.13
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
SI2323DDS-T1-GE3
製造業者
Vishay Siliconix
在庫数
860
部品番号
SI2323DDS-T1-GE3-DG
単価
0.15
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
DMG3415UQ-7
製造業者
Diodes Incorporated
在庫数
3166
部品番号
DMG3415UQ-7-DG
単価
0.11
代替タイプ
Parametric Equivalent
DIGI認証
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