AOTF266L
製造者製品番号:

AOTF266L

Product Overview

製造者:

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

部品番号:

AOTF266L-DG

説明:

MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F
詳細な説明:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 78A (Tc) 2.1W (Ta), 45.5W (Tc) Through Hole TO-220F

在庫:

111 新規オリジナル在庫あり
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AOTF266L 技術仕様

カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
パッケージング
Tube
級数
-
製品ステータス
Active
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
60 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
18A (Ta), 78A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
6V, 10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
3.2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
5650 pF @ 30 V
FET機能
-
消費電力(最大)
2.1W (Ta), 45.5W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220F
パッケージ/ケース
TO-220-3 Full Pack
基本品番
AOTF266

データシートとドキュメント

データシート
製品図面
HTML データシート

追加情報

スタンダードパッケージ
1,000
他の名前
785-1443-5
5202-AOTF266L

環境および輸出分類

RoHSステータス
ROHS3 Compliant
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095

代替モデル

部品番号
TK100A06N1,S4X
製造業者
Toshiba Semiconductor and Storage
在庫数
25
部品番号
TK100A06N1,S4X-DG
単価
1.07
代替タイプ
MFR Recommended
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