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よくある質問
製造者製品番号:
AOT10T60P
Product Overview
製造者:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
部品番号:
AOT10T60P-DG
説明:
MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220
詳細な説明:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
在庫:
オンラインRFQ
12846024
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AOT10T60P 技術仕様
カテゴリー
FET(フィールド効果トランジスタ)、MOSFET(金属酸化膜フィールド効果トランジスタ), シングルFET、MOSFET
製造者
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
パッケージング
-
級数
-
製品ステータス
Obsolete
FETタイプ
N-Channel
テクノロジー
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss)
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C
10A (Tc)
ドライブ電圧(最大RDSオン、最小RDSオン)
10V
RDSオン(最大)@ Id、Vgs
700mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id
5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs(最大)
±30V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds
1595 pF @ 100 V
FET機能
-
消費電力(最大)
208W (Tc)
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取り付けタイプ
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ
TO-220
パッケージ/ケース
TO-220-3
基本品番
AOT10
データシートとドキュメント
データシート
AOT10T60P
HTML データシート
AOT10T60P-DG
追加情報
スタンダードパッケージ
1,000
環境および輸出分類
湿度感度レベル(MSL)
1 (Unlimited)
REACHステータス
REACH Unaffected
ECCNの
EAR99
HTSUSの
8541.29.0095
代替モデル
部品番号
IRFB9N60APBF
製造業者
Vishay Siliconix
在庫数
2220
部品番号
IRFB9N60APBF-DG
単価
1.22
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
FQP12N60C
製造業者
Fairchild Semiconductor
在庫数
4340
部品番号
FQP12N60C-DG
単価
1.68
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
IXFP10N60P
製造業者
IXYS
在庫数
70
部品番号
IXFP10N60P-DG
単価
1.73
代替タイプ
Direct
部品番号
STP9N60M2
製造業者
STMicroelectronics
在庫数
20
部品番号
STP9N60M2-DG
単価
0.54
代替タイプ
MFR Recommended
部品番号
FCP850N80Z
製造業者
onsemi
在庫数
766
部品番号
FCP850N80Z-DG
単価
1.13
代替タイプ
MFR Recommended
DIGI認証
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